AESを利用した極低入射電圧SEM像におけるコントラスト反転現象の解明

抄録

近年、SEMは1 kV 以下の低入射電圧で試料表面の反射電子組成像が取得可能となっている。しかし、その組成像のコントラストは必ずしも試料の平均原子番号や密度に対応せず、従来の数kV以上の入射電圧時で得られた組成像と比べてコントラストが反転するといった現象も見られた。本研究ではAESを利用して、組成像を形成する信号量の入射電圧依存性を調べることで、これらのコントラスト反転現象の解明を試みたので報告する。