10月28日（月）
Ptナノギャップメモリ素子の高温環境下における劣化現象の解明
詳細
白金(Pt)電極のナノギャップ電極は873 K の高温環境下で抵抗スイッチ効果を発現する．本研究では，873 K以上の超高温領域でのメモリ保持特性を調べ，超高温領域において抵抗スイッチ効果を阻害するメカニズムを明らかにするとともに，シリコン酸化膜と白金電極間の接着層により阻害原因となるPt原子拡散を抑制することが可能であることを明らかにした．
