SiC基板上Yb蒸着グラフェンにおける強磁性の発現

抄録

グラファイト層間に金属原子を挿入したグラファイト層間化合物（GIC）は様々な物性を示すが、中でもランタノイド（Yb、Eu）を挿入した系では、超伝導や反強磁性秩序の発現が報告されている。本研究ではMBE法にてYbをGraphene/SiC(0001)上に蒸着した。結果、通常Yb単体は常磁性にもかかわらず異常ホール効果が観測され、キュリー温度59Kの強磁性転移が確認された。