Ru二核錯体が示す電流ヒステリシス特性のスルーレート依存性

抄録

本研究では、原子間力顕微鏡を用いて、架橋配位子が異なる３種類のＲｕ二核錯体単分子膜の電気計測をおこなった。非線形Ｉ−Ｖ特性が得られ、電流ヒステリシスが観測された。スルーレートの増加に伴ってヒステリシスが増大し、分子の種類によってスルーレートへの依存性が異なることがわかった。異なるスルーレートで計測したＲｕ二核錯体の電流ヒステリシス特性を統計解析により比較した結果と伝導機構の考察を報告する。