Si(111)表面上のIn単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移

抄録

Si(111)表面上のIn単原子層金属は、従来√7×√3周期だと考えられてきたが、LEED, STMおよび第一原理計算の結果、<1-10>方向の一軸性不整合構造であることがわかった。また、この相を冷却すると約250 Kで√7×√7相に転移する。転移に伴い、ARPESで金属的な電子状態の消失が見られ、電気伝導度測定で伝導度の低下が観測された。この結果は、この相転移が金属絶縁体転移であることを示している。