原子層超伝導体 Si(111)-(√7×√3)-In のラシュバ効果と臨界磁場

抄録

Si(111)-(√7×√3)-In は臨界温度 3 K の原子層超伝導体とみなせる。極低温電気伝導測定から、平行磁場に対する臨界磁場が従来型超伝導体で予想される常磁性極限より増大していることが強く示唆される。臨界磁場増大のメカニズムについて、密度汎関数理論計算で得たバンド構造の情報を取り入れながら、ラシュバ効果と弾性散乱による対破壊機構の理論にもとづいて解析した。