Si(110)3×2-Bi表面の電子状態

抄録

Biが吸着したSi(111)等の半導体表面では、Biの大きなスピン軌道相互作用に起因するラシュバ型スピン分裂を伴う表面電子状態が報告されているが、Si(110)表面にBiを吸着させた系の電子状態はよく分かっていない。そこで本研究ではSi(110)3x2-Bi及び3x4-Bi表面の電子状態を角度分解光電子分光で調べた。講演では、先行研究で提案された構造モデルと比較し、電子状態を議論する。