日本表面真空学会学術講演会要旨集
Online ISSN : 2434-8589
2020年日本表面真空学会学術講演会
セッションID: 1Ba02
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11月19日
SiC(0001)表面の安定な金属吸着サイトの第一原理計算による探索
*石井 純子松嶋 茂憲内藤 正路
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抄録

本研究では、4H-SiC(0001)表面に金属原子(Ni、Pt、Pd、Cu)が吸着した場合の表面構造変化と安定吸着位置について検討する。吸着位置の違いによって3種類のスラブモデル(type-I、type-II、type-III)を構築し、第一原理バンド計算を実施した。その結果、type-Iが最もエネルギー的に安定し、4種類の金属原子の中では、Ptが最も安定な吸着を形成することがわかった。

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© 2020 日本表面真空学会学術講演会
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