レーザー光励起によるSiC(0001)表面上グラフェン層の剥離：光による単層グラフェン創製

抄録

SiC 基板上にエピタキシャル成長させたグラフェン原子層にフェムト秒レーザー光を照射し、グラフェン原子層の励起誘起構造変化をラマン散乱分光法により研究した。照射前後における2Dラマンピークの形状変化から、光励起により多層グラフェン領域が縮小し、反相関的に単層グラフェン領域が拡大していくことが判明した。講演では、励起強度を最適化することによるグラフェン単層膜創製の可能性について議論する。