低温走査トンネルポテンショメトリーの開発

抄録

走査トンネルポテンショメトリは、表面に電流が流れている状態での電位分布像を極めて高い電位・空間分解能で取得する顕微手法である。我々は、超高真空対応の装置開発を進め、室温でSi(111)-7x7表面での電位分布測定に成功し、位相境界での電位変化の存在を初めて明らかにした。次の段階として、局在や閉じ込め効果等の量子現象が期待される低温下での測定に向けて開発を進めているので、その進捗状況を報告する。