主催: 日本表面真空学会
国立研究開発法人物質・材料研究機構
産業技術総合研究所
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水素の電子衝撃脱離(ESD)量から，薄板を透過する水素の定量計測を行うため，標準コンダクタンスエレメント(SCE)を用いて，ESDイオン量，四重極型質量分析計(QMS)による水素分子透過量と，水素供給圧力との関係を調べた．QMSやイオンポンプ起因の信号をバックグラウンドとして除去した後，水素供給圧力100〜2000Paの範囲で，水素供給圧力とESDの水素イオン信号との間に，1次の関係性が得られた．
表面科学講演大会講演要旨集
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