ミストCVD法により作製したAl₂O₃薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用

抄録

GaN系パワー・高周波デバイスのゲート絶縁膜として有望なAl₂O₃薄膜を低コストな酸化物薄膜形成手法であるミストCVD法により作製し評価した。ミストCVD法で作製したAl₂O₃薄膜は禁制帯幅など、ALD法で作製したAl₂O₃薄膜と同等の物性値を示した。またAl₂O₃/AlGaN/GaNキャパシタの容量-電圧特性から、良好なAl₂O₃/AlGaN界面が形成されていることが示唆された。