電界効果トランジスタによる二次元物質表面反応の制御

抄録

層状結晶の剥離で得られる二次元物質は、究極的な薄さのため表面現象に非常に敏感である。また、電界効果トランジスタ（FET）の活性層に用いると、ゲート電界が遮蔽されず最表面まで到達することになる。そのため、二次元材料のFETを用いると、表面現象の制御が可能になると期待される。本講演では、種々の表面現象の内、代表的な二次元物質であるグラフェンの化学修飾を例にとり、化学反応のFET制御について概説する。