Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態

抄録

Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜のバンド分散は、フリースタンディングな計算結果と比較して100 meVほど低結合エネルギー側にシフトすると報告され、基板と超薄膜間での電荷移動が予測されている。本研究では、n-type、p-type Si(111)√3×√3-B表面のBi(110)超薄膜の電子状態を比較し、エネルギーシフトを確認した。これは電荷移動が要因であると考えられる。