KBr表面に電子刺激脱離を誘起する欠陥種による脱離収量変化

抄録

KBr等のアルカリハライド表面に数keVの電子が入射すると，結晶内部で生じた数種の欠陥拡散によって表面原子が脱離する。表面の形状変化を引き起こす脱離は，平坦な表面に１原子層深さのピットを形成する脱離と，表面のステップエッジからの脱離がある。本研究では，これらの欠陥による脱離収量の変化を，表面形状によって変化する高速斜入射陽子の表面散乱強度と陽子散乱軌道計算の結果とを比較して調べた。