主催: 社団法人 溶接学会
大阪大学
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
半導体の微細化限界に対し、3次元積層による解決が期待されている。しかし、複数ウェハの多段階での接続積層を初め、標準技術が未確立であり、実用化されていない。本稿では、InSn系薄膜を用いて、超微細多端子を低温で接合し高耐熱な接合部を得る、多階層微細接合法の検討結果について報告する。
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら