半導体素子における常温超音波はんだ接合の界面反応

抄録

近年、半導体実装の分野では、素子の高機能化から内部構造が複雑化してきている。そのため、接合部の周辺への熱影響を避けるため、低温プロセスで高耐熱な接合法が求められている。そこで、常温においてAu-Snはんだを用いた超音波接合を試み、その界面反応のメカニズムについて調査した。