水平型Epitaxial装置の結晶析出速度に対する諸因子の影響
1981 年 7 巻 6 号 p. 621-627
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1981 年 7 巻 6 号 p. 621-627
水平型Epitaxial装置における支持台表面への結晶の析出速度を, 気相内での移動現象に対する基礎方程式を解くことによって求めた.シリコンの析出速度を測定した既往の実測値と本計算値とを比較したところよい一致をみた.
析出速度におよぼす諸因子の影響を, 析出速度が物質移動と反応の各律速の場合について求めた.物質移動律速の場合, 析出速度は反応ガス流速, 反応成分濃度が大さいほど大きく, 流速が大きいほど, そしてGr数が小さいほど軸方向の析出物の分布は一様になる.他方, 反応律速の場合には, 物質移動律速の場合と比較して, 全般的に析出速度の分布は平坦になる結果を得た.
