Diffusion of Antimony in Si Directly Masked with Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> Films

電気化学および工業物理化学

Online ISSN : 2434-2556
Print ISSN : 0366-9297

報文《電子材料》

Diffusion of Antimony in Si Directly Masked with Si₃N₄ Films

Shoichi MIZUO, Hisayuki HIGUCHI

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ジャーナルフリー

1983 年 51 巻 4 号 p. 403-407

DOI https://doi.org/10.5796/kogyobutsurikagaku.51.403

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© 1983 The Electrochemical Society of Japan

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