松下電器産業 (株) 半導体研究センター
1988 年 45 巻 5 号 p. 453-455
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半導体フォトリソグラフィーにおけるレジストパターンの形状や解像性を向上させるコントラスト・エンハンスト・リソグラフィー (CEL) を遠紫外光に対して有効とすべき材料を考案した. 5-ジアゾーメルドラム酸とρ-クレゾール・ホルムアルデヒド・ノボラック樹脂, ジェチレングリコールジメチルエーテルより成るCEL材料は, 248nm において良好なコントラスト・エンハンスト効果を示し, 特に, KrFエキシマレーザーリングラフィーに有用である.
合成繊維研究
高分子化學
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