抄録
化学増幅系3成分ポジ型レジスト (ベース樹脂, 溶解抑制剤 (DI), 酸発生剤) において, 未露光部の溶解速度を低下させることにより, レジストの高解像度化を図った. DIとしてカルボン酸エステルを用い, それらの融点, 分子量とレジストの溶解速度との関係について検討した. DIの融点, 分子量の上昇とともに, 未露光部の溶解速度は低下する傾向にあった. DIはベーキングにより熱分解しアルカリ可溶物に変化するが, その分解量はDIの分子量が大きくなるにつれ小さくなった. 分子量の大きなDIを添加することにより膜の剛性が増加し, ベーク時に, DIと残存フェノール (DIの分解作用あり) との接触が抑制されたためだと考えられる. ペース樹脂にポリ (p-ビニルフェノール) (PVP) のOH基の一部分をt-ブトキシカルボニル基で保護した (tBOC-PVP) を, DIに溶解速度の最も小さかった2,2′-ジチオサリチル酸のt-ブチルエステル化合物を使用したレジストは, 0.12μm L & Sを解像した.
