抄録
化学増幅系3成分ポジ型レジスト (ベース樹脂, 溶解抑制剤, 酸発生剤) において, レジストの高感度化を目的に, 電子線照射後の熱処理 (PEB: Post Exposure Baking) 時間と温度および酸発生剤の濃度と種類を検討した. 使用した酸発生剤は, トリフェニルスルフォニウムトリフレート (S-Tf), ジフェニルヨードニウムトリフレート (I-Tf), トリフェニルスルフォニウムアンチモネート (S-Sb), ジフェニルヨードニウムアンチネモネート (I-Sb) である. レジスト感度は, PEB時間, 温度の増加とともに向上した. また, 酸発生剤 (S-Tf) 濃度が高くなるにつれレジスト感度は向上した. ただし, 10wt%では副反応が生じ一部ネガ化した. 酸発生剤の種類 (3wt%) については, S-Tf (12.5μC/cm2) <S-Sb (10.0μC/cm2) <I-Tf (7.0μC/cm2) <I-Sb (5.0μC/cm2) の順で, レジストは高感度化した. これより, 酸発生剤のカチオン部にはヨードニウムイオンを, アニオン部にはアンチモネートイオンを用いると感度は向上することがわかった.
