AlGaN系紫外LED

岩谷 素顕; 上山 智; 天野 浩; 赤崎 勇

doi:10.2184/lsj.32.387

レーザー研究

Online ISSN : 1349-6603
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レーザー解説

AlGaN系紫外LED

岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

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ジャーナルフリー

2004 年 32 巻 6 号 p. 387-391

DOI https://doi.org/10.2184/lsj.32.387

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抄録

We demonstrated the UV-light-emitting diode on the low dislocation density AlGaN. This new UV-light-emitting diode shows peak wavelength of 363 nm and output power of 4.7 mW at 100 mA DC current injection.

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