レーザー研究
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波長可変半導体レーザー
1.3-1.5 μm 帯InGaAsp波長可変半導体レーザー
水戸 郁夫
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1989 年 17 巻 11 号 p. 782-787

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抄録
Wavelength tunable semiconductor lasers, operating at 1.3-1.5 μm wavelength region, are reviewed. The structures are classified to hybrid type tunable lasers and monolithic type tunable lasers. More than 1000 Å wavelength tuning was attained in a hybrid type tunable laser with an external grating mirror, and 100 Å tunable range for monolithic type 3-section tunable distributed feedback laser diode.
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© 社団法人 レーザー学会
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