レーザー研究
Online ISSN : 1349-6603
Print ISSN : 0387-0200
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基本横モード200mW高出力半導体レーザー
水口 公秀田尻 敦志別所 靖之米田 幸司吉年 慶一山口 隆夫
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1993 年 21 巻 2 号 p. 305-311

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抄録
A fundamental transverse mode, 200 mW high-power laser diode that oscillates at a wavelength of 860 nm for use as a light source for SHG devices has been developed. The maximum output power was 500 mW under CW operation. Stable operation under an output power of 200 mW was confirmed for more than 1, 000 hours at 50 °C
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© 社団法人 レーザー学会
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