日本伝熱シンポジウム講演論文集
日本伝熱学会創立50周年記念第48回日本伝熱シンポジウム
セッションID: F113
会議情報

F11 OS 電子機器の信頼性を支える熱設計と冷却技術1
SiC MOSFETチャネル部オン抵抗自己発熱のエレクトロサーマルモデリング
*伏信 一慶
著者情報
会議録・要旨集 認証あり

詳細
抄録
SiC MOSFETチャンネル部における、オン抵抗による定常的な自己発熱のエレクトロサーマルモデルを提案する。長チャンネルMOSFETに対するドレイン電流モデルによる発熱、発熱による格子温度上昇、格子温度上昇とチャネル電界強度による電子温度上昇により構成される、self-consistentなlumpedモデルである。ドレイン電流による発熱と(格子)温度上昇のエレクトロサーマル解析例には既往報告があるが、主要な移動度決定因子を包含し、電子温度予測にまで拡張した例は無く、今回のモデルが初めての試みとなる。
著者関連情報
© 2011 社団法人 日本伝熱学会
前の記事 次の記事
feedback
Top