SiC MOSFETチャネル部オン抵抗自己発熱のエレクトロサーマルモデリング

抄録

SiC MOSFETチャンネル部における、オン抵抗による定常的な自己発熱のエレクトロサーマルモデルを提案する。長チャンネルMOSFETに対するドレイン電流モデルによる発熱、発熱による格子温度上昇、格子温度上昇とチャネル電界強度による電子温度上昇により構成される、self-consistentなlumpedモデルである。ドレイン電流による発熱と（格子）温度上昇のエレクトロサーマル解析例には既往報告があるが、主要な移動度決定因子を包含し、電子温度予測にまで拡張した例は無く、今回のモデルが初めての試みとなる。