無電解めっき法によるパラジウム薄膜の調製

抄録

選択的水素透過性を示す担持パラジウム薄膜の調製におけるパラジウム無電解めっき浴の最適条件と支持体表面の活性化の検討を行った。二液型活性化処理で支持体表面を活性化すると,処理回数とともにパラジウム核担持量が増加し,初期めっき速度は増加した。しかし,処理回数が30回以上ではスズがパラジウム核を被覆し,初期めっき速度は減少した。また,二液型活性化処理に硝酸銀処理工程を導入すると,初期めっき速度が大きくなった.パラジウムテトラアンミン錯体,EDTA,アンモニア水を含むアルカリ性溶液からのパラジウムめっきについて,最適めっき浴組成や条件を求めた。パラジウムの析出速度に大きく影響する因子は,浴温とヒドラジン濃度であった。