スズ融液法によるβ-Ga2O3単結晶の育成
1991 年 1991 巻 10 号 p. 1426-1431
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1991 年 1991 巻 10 号 p. 1426-1431
スズ融液法を用いて,Ga2O3粉末とスズ融液との混合物をアルゴンガス雰囲気中で,加熱温度1150～1450℃ ,2～50時間保持,冷却速度8.3-300℃/hの範囲で,比較的大きなβ-Ga2O3単結晶を育成するための最適条件の検討を行った。育成されたβ-Ga2O3単結晶はスズ融液の上部と融液内部の両方で観察された。得られた単結晶については,形態と大きさ,格子定数と密度などの結晶学データを調べ,さらに,ビッカース微小硬度を測定した
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