応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
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ダイヤモンド電界効果トランジスタ
山口 尚秀
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ジャーナル 認証あり

2025 年 94 巻 3 号 p. 124-129

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抄録

ダイヤモンドは,他のワイドバンドギャップ半導体で作るのが難しい高性能なpチャネルの電界効果トランジスタを作ることができる稀有(けう)な物性を持つ.そのため,相補型パワーインバータの実現などパワーエレクトロニクスを変革する可能性のある魅力的な半導体材料である.本稿では,研究開発が進むダイヤモンド電界効果トランジスタについて,特にダイヤモンドとゲート絶縁膜の接合部の構造が特性に与える影響を中心に解説する.

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© 2025 公益社団法人応用物理学会
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