国立研究開発法人物質・材料研究機構
2025 年 94 巻 3 号 p. 124-129
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ダイヤモンドは,他のワイドバンドギャップ半導体で作るのが難しい高性能なpチャネルの電界効果トランジスタを作ることができる稀有(けう)な物性を持つ.そのため,相補型パワーインバータの実現などパワーエレクトロニクスを変革する可能性のある魅力的な半導体材料である.本稿では,研究開発が進むダイヤモンド電界効果トランジスタについて,特にダイヤモンドとゲート絶縁膜の接合部の構造が特性に与える影響を中心に解説する.
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