Rapidus株式会社 専務執行役員CTO
応用物理学会 会長 京都大学
応用物理学会 副会長 九州大学
九州大学 本誌 編集委員長
本誌 編集委員 東京エレクトロン
2026 年 95 巻 1 号 p. 1-6
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2 nm GAA（Gate All Around）トランジスタの動作を確認したことが発表された直後の7月末日，北海道千歳市のRapidusの半導体開発製造拠点IIM-1に隣接した施設で同社の特徴や戦略についてCTO（最高技術責任者）の石丸氏と対談を行いました．応用物理学会の幅広い分野の若手会員へ向けた力強いメッセージも頂きました．
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