応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
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半導体の表面トラップとタムーショックレイ準位について
小林 秋男
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1957 年 26 巻 11 号 p. 569-571

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抄録

Slow and fast states of clean and oxidized germanium surfaces are studied. Density of fast state increases and that of slow state decreases remarkably, if the surface was treated to become clean.
A proposition for surface bond is made basing upon the s-p hybridization.

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© 社団法人 応用物理学会
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