エピタキシャルSiのMISトンネル構造による評価

応用物理

Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009

エピタキシャルSiのMISトンネル構造による評価

宇佐美晶, 大倉勝徳, 工藤勃士

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ジャーナルフリー

1979 年 48 巻 8 号 p. 789-793

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.48.789

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© 社団法人応用物理学会

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