三菱電機(株) LSI研究所
1982 年 51 巻 3 号 p. 348-352
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プラズマエッチングは,グロー放電による抵温低電離プラズマ中の活性化中性趣子(ラジカル)と固体表面との化学反応に基づくものである.ラジカルはプラズマ中でランダム運動をするため等方性ヱッチングとなり,高い精度の微細パターンが得られにくい.平行平板型エッチング装置を低いガス圧で動作させた場合,反応性イオンが,電極表面近傍に形成される自巴バイアス電圧により加速され,物理的,化学的反応により,異方性および選択性エッチングが可能となる.この方法により,高い精度の微細パターン形成が可能となった.
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