GaAsおよびInP MOSダイオードの容量特性と半導体の圧電性
1983 年 52 巻 8 号 p. 687-691
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1983 年 52 巻 8 号 p. 687-691
III-V族化合物半導体MOSダイオードの電気的性質の評価に関して,半導体の圧電性に着目し,著者らの行なった研究について紹介する.はじめに, GaAsおよびInP単結晶の (111) 極性面上に作製したダイオードの応力による電気容量の変化を測定し,この変化に半導体の圧電性に基づいた理論的考察を加えている.次にこの結果を利用して,絶縁体一半導体界面での半導体の表面準位密度を推定する.
