NTT厚木電気通信研究所
1985 年 54 巻 11 号 p. 1192-1197
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (HBT) は,近年,分子線エピタキシャル法(MBE法)の適用によってその微細な層構造制御が可能となったため,超高速素子としても大きな進展が見られた.ここではAlGaAs/GaAs HBTを中心に,素子動作機構に関する興味ある問題,素子開発の現状,今後の高速性能予測などについて述べる.
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