遷移金属配位化合物の選択配位エピタキシャル成長とその展望
1986 年 55 巻 10 号 p. 943-949
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1986 年 55 巻 10 号 p. 943-949
一方に半導体超格子をはじめとする超微細化素子技術の隆盛,他方に有機LB膜をはじめとする分子エレクトロニクスの進展を眺めながら,その双方の長所を兼ね備えた第3の物質群として遷移金属配位化合物(TMCC)の紹介を行ない,無機・有機のいずれにも見られない極限微細化に適した配位素子の可能性について述べる.またTMCCの特徴を生かした成長法として,選択配位エピタキシー法Selective Coordination Epitaxy, SCE)を提案し,これによって得られたヘテロ接合成長の例を紹介する.超格子構造への応用と従来の無機・有機物質とのちがいについても言及する.
