電界による量子井戸構造の光学特性変化と光デバイスへの応用
1986 年 55 巻 3 号 p. 210-218
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1986 年 55 巻 3 号 p. 210-218
量子井戸構造に垂直電界を印加したことによって生じる光学特性(光吸収係数,ルミネッセンス,屈折率)の変化について物理的イメージを概観し,この現象が本質的にきわめて高速の現象であることを述べる.次いで,光吸収係数変化と,これを利用した高速光変調器,光双安定素子についての最近の研究を紹介する,波動関数の電界による変形を利用した高速発光棄子の可能性と,これに関連したフォトルミネッセンスに対する電界効果についての研究現況を述べる.この新分野は,今後,マイクロエレクトロニクスと光技術の一段と高度な融合に重要な役割を果たすと期待される.
