応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ISSN-L : 0369-8009
電界による量子井戸構造の光学特性変化と光デバイスへの応用
山西 正道
著者情報
ジャーナル フリー

1986 年 55 巻 3 号 p. 210-218

詳細
抄録

量子井戸構造に垂直電界を印加したことによって生じる光学特性(光吸収係数,ルミネッセンス,屈折率)の変化について物理的イメージを概観し,この現象が本質的にきわめて高速の現象であることを述べる.次いで,光吸収係数変化と,これを利用した高速光変調器,光双安定素子についての最近の研究を紹介する,波動関数の電界による変形を利用した高速発光棄子の可能性と,これに関連したフォトルミネッセンスに対する電界効果についての研究現況を述べる.この新分野は,今後,マイクロエレクトロニクスと光技術の一段と高度な融合に重要な役割を果たすと期待される.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top