LSIへの放射線の影響
1986 年 55 巻 3 号 p. 243-247
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1986 年 55 巻 3 号 p. 243-247
近年LSIの新しい応用分野として,宇宙や原子炉などの放射線環境下での使用が計画され,耐放射線性に優れたLSIの研究開発が進められている.本稿では,衛星搭載用CMOS LSIを中心に,衛星環境で問題となるトータルドーズ効果とシングルイベント効果について,その発生機構評価法,現状LSIの放射線耐量および耐量強化策について紹介する.
