面発光半導体レーザー
1987 年 56 巻 12 号 p. 1625-1629
詳細
1987 年 56 巻 12 号 p. 1625-1629
面発光レーザーの概究は,近年多くの研究者により精力的に進められつつあり光エレクトロニクスの主要な学術会議においても一つのセッションを占めるに至っている.ここでは,まず面発光レーザーの特徴について述べたのち,その構成から三つに分類して各々の特徴について議論し,現在得られているレーザー特性を紹介する.次に,我々が研究を進めている微小垂直共振器型面発光レーザーについて詳しく述べる.具体的にはGaAlas系でしきい値電流6mA (室温パルス駆動), GaInAsP系で15mA (77K達続駆動)を得ている.また,最後に半導体多層膜構造の面発光レーザーへの応用に関する研究結果も含めた今後の展望について述べる.
