応用物理
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金属-半導体エピタキシャル積層構造の作製
斗内 政吉橋本 浩一小林 猛
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1987 年 56 巻 9 号 p. 1155-1159

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抄録

著しく反応性に富む金属-半導体界面も,薄膜作製技術の向上に伴`って,次第に制御できるようになった.すでに,完全に近い配向性をもたせたエピタキシャル金属膜が,半導体結晶面上で得られている.このような金属一半導体エピタキシャル積層構造は,原子間結合機構を全く異にする材料間のヘテロ接合を提供して,従来の半導体-半導体ヘテロ接合では得られない新しい物性を生み出すことから,将来の電子デバイス研究のカギを握る有力候補として注目されている.本稿では,化合物半導体上の金属薄膜成長に関する研究状況と,その新しい応用面などについて紹介する.

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© 社団法人 応用物理学会
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