サファイァ基板上へのSiエピタキシゃル成長における界面制御
1988 年 57 巻 5 号 p. 658-667
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1988 年 57 巻 5 号 p. 658-667
サファイア基板上にSiをエピタキシャル成長させたSOS (Si on Sapphire)の成長において,ヘテロエピタキシャル成長に起因する諸問題を解決するため,非晶質Siを非常に薄く堆積させてから,気相成長を行うという界面制御プロセスについて述べる.そのため,まずSiとサファイア界面の様子を解説し,界面制御プロセスとの関係を明らかにする.スパッタ法と紫外光励起法を用いた方法について説明し,この方法で得られる成長膜の特徴と成長機構について述べる.この方法は,他のヘテロエピタキシャル成長にも共通するところが多く,Si/CaF2系についても触れる.
