極薄シリコン窒化膜形成技術
量子化学計算によるシミュレーションとプロセス最適化
1991 年 60 巻 11 号 p. 1131-1135
詳細
1991 年 60 巻 11 号 p. 1131-1135
非経験的分子軌道法を用いて,シリコン窒化膜CVDのメ力ニズムを考察した.その結果,シリコン窒化膜は,挿入反応と脱離反応の繰り返しで成長する,というモヂルを得た.このCVDメカニズムから予想される膜構造を,分光エリプソメーターを用いて,実験的に確認した.このようなCVDシリコン窒化膜を,シリコン超LSIのキャパシターに適用した場合,膜厚を薄くするとともに,リーク電流が増大する.このリーク電流を抑制するためには, CVDを行う前に,多結晶シリコン表面を,熱窒化することが有効である.
