Siヘテロ超構造技術とそのデバイス応用
1992 年 61 巻 11 号 p. 1104-1115
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1992 年 61 巻 11 号 p. 1104-1115
Siヘテロ超構造の形成に関し,Si-MBEとその関連技術について概観した.まず,ヘテロエピタキシーの基本現象をドーパント原子の表面偏析,ヘテロ界面の原子ミキシング・格子ひずみに着目し,物理的解釈を行うとともに課題を指摘した.次いで,ヘテロ超構造(Si/半導体/Si, Si/金属/Si, Si/絶緑膜,単原子層ドーピング)技術の現状とそのデバイス応用を述べ,将来を展望した.
