広禁制帯幅半導体シリコンカーバイド(SiC)は,耐環境用デバイスやパイスーデバイス用半導体材料として,また, GaNなどの基板としても注目されている.従来, SiCバルク単結晶の育成は困難であったが,最新の改良型昇華法成長め研究開発により,大口径バルク単結畠成長が可能になった.6H形および4H形SiCの単結晶が成長できるようになり,数々のデバイス試作が行われている.結晶性改善においては種々の欠陥の中でデバイス作製上問題となるマイクロパイプ欠陥の低減も進展している.本稿では,進展著しいバルクSic単結晶研究の現状と今後の課題を述べる.
