応用物理
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量子ドットと光デバイス
西 研一斎藤 英彰
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1998 年 67 巻 7 号 p. 793-797

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抄録

ナノメータースケールの半導体超微細構造に電子を閉じ込める量子ドット構造では,“原子のような”電子状態が実現され,多くの特性変化が期待される。ここでは,ひずみ半導体の結晶成長により畠己形成的に得られる量子ドットの均一一性改善,また量子ドット面発光レーザーにおいて得られた特性を紹介し,さらに糟来的に期待される量子ドット光デバイス,特に半導体レーザーでの特性改善について展望する.

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© 社団法人 応用物理学会
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