応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
ISSN-L : 0369-8009
ヘテロ接合入門
高橋 清
著者情報
ジャーナル フリー

1998 年 67 巻 7 号 p. 831-834

詳細
抄録

ヘテ自接合は,半導体工ピタキシー技術の開発以後急速に発展し,ヘテ爲接合のエネルギーの不連続性を利用したいろいろな新しいデバイスが開発されている.本稿では,半導体ヘテロ接合とは何か,格子整合・不整合の場合のヘテロ接含のエネルギー帯構造の考え方,ヘテロ接合の特徴,その特徴を生かしたヘテこ1接合デバイス,舎後の展望などについて解説する.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top