帝京科学大学
1998 年 67 巻 7 号 p. 831-834
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ヘテ自接合は,半導体工ピタキシー技術の開発以後急速に発展し,ヘテ爲接合のエネルギーの不連続性を利用したいろいろな新しいデバイスが開発されている.本稿では,半導体ヘテロ接合とは何か,格子整合・不整合の場合のヘテロ接含のエネルギー帯構造の考え方,ヘテロ接合の特徴,その特徴を生かしたヘテこ1接合デバイス,舎後の展望などについて解説する.
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