応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
メタルCMPの現状と動向
宮鳴 基守
著者情報
ジャーナル フリー

1999 年 68 巻 11 号 p. 1243-1246

詳細
抄録
CMP (Chemical Mechanical Polishing) 技術は,半導体製造プロセスに必須の技術となった. 0.35μm世代以降のデバイスは, CMP技術の使用を前提としている.その適用範囲は,多層配線の層間膜平坦化, PlugやDamascene配線の形成, STI (Shallow Trench Isolation) と広がっている.特に, 0.18μm世代のDamascene配線形成を可能にする技術として,メタルCMP技術は注目を集めている.本報では, WとCuの加工メ力ニズムについて簡単に触れ, SlurryとPadを中心に最近発表されている結果をまじえて,メタルOMPについて簡単に解説する.
著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top