半導体バルクの構造と電子状態
1999 年 68 巻 7 号 p. 817-820
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1999 年 68 巻 7 号 p. 817-820
IV族, III-V族, II-VI族化盒物の多くは四面体構造をとる半導体である.イオン性が増加するにつれ,エネルギー・ギャップは増大し,また結晶構造はセン蘂鉛鉱(ダイヤモンド)構造からウルツ鉱構造へと変化する.この傾向は構成原子の結合軌道の性質によって説明される.同様の考察は,人工格子のような新しい材料のエネルギー構造を予測するうえでも有用である.
