応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
半導体メモリー; DRAM
木村 紳一郎
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2000 年 69 巻 10 号 p. 1233-1240

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抄録

DRAMは高集積LS1の代表であり,最先端の微細加工技術をけん引してきたLSIである.現在,製品の主流は64Mbitであるが, 256 Mbitも製品化され,さらには, 512Mbit, 1Gbitも開発されている.本講座では,メモリー動作の基本,メモリーセル構造の変化とキャパシター絶縁膜の薄膜化,微細化を支えたプロセス技術,ロRAM特有の課題である情報保持特性,システムLSIに向けた混載DRAMの技術的な課題などにふれる.デバイスと材料に向けられた努力に焦点を当てながら,高集積化の歩みを振り返る.

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© 社団法人 応用物理学会
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