相変化型不揮発性メモリーの現状と可能性

抄録

ある種のカルコゲナイド半導体は,高抵抗なアモルファス状態と低抵抗な結晶状態の二つの安定な状態をもっており,これらの状態は,電気パルスによって遷移させることが可能である.このような可逆的な相変化を利用した不揮発性メモリーデバイスの研究開発の現状と可能性について解説する.